65nm薄膜BOX-SOIとバルクプロセスにおけるSETパルス幅の電圧依存性の評価

• Item type: SIG Technical Reports(1)
• 公開日: 2014-11-19
• タイトル: 65nm薄膜BOX-SOIとバルクプロセスにおけるSETパルス幅の電圧依存性の評価
• タイトル / 言語: en
• タイトル: Voltage Dependence of Single Event Transient Pulses on 65nm Silicon-on-Thin-BOX and Bulk processes
• 言語: jpn
• キーワード / 主題Scheme: Other
• キーワード / 主題: 回路設計手法
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
• 資源タイプ: technical report
• 著者所属: 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子スシテムエ学専攻
• 著者所属: 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子スシテムエ学専攻
• 著者所属: 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子スシテムエ学専攻
• 著者所属: 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子スシテムエ学専攻
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology
• 著者名: 曽根崎, 詠二; 張, 魁元; 古田, 潤; 小林, 和淑
• 著者名(英): Eiji, Sonezaki; Kuiyuan, Zhang; Jun, Furuta; Kazutoshi, Kobayashi
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: 近年，プロセスの微細化や高集積化により消費電力の増加が問題になっている．低消費電力の実現には，低電圧化が最も効果的であるが，同時に信頼性の低下を引き起こす．本稿では，デバイスシミュレーションを用いてソフトエラーの原因の一つである放射線起因一過性パルス (SingleEventlransient) のパルス幅の電圧依存性をについて評価した．
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: Recently, the growth of power consumption has been serious by process scaling. The lower voltage is most effective to implement reduced energy consumption. But, the lower voltage causes a decrease in reliability. In this study, we evaluate voltage dependence of SET (Single Event Transien) pulses by device simulations.
• 書誌レコードID / 収録物識別子タイプ: NCID
• 書誌レコードID / 収録物識別子: AA11451459
• 書誌情報: 研究報告システムとLSIの設計技術（SLDM）; 巻 2014-SLDM-168, 号 9, p. 1-5, 発行日 2014-11-19
• Notice: SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会