2024-03-29T06:55:18Zhttps://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/ej/?action=repository_oaipmhoai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:002140122023-04-27T10:00:04Z01164:02036:10484:10753
データアウェア・ストア機能を持つMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価MTJ-based non-volatile SRAM circuit with data-aware store control for energy savingjpn低電力回路技術およびソフトエラー対策http://id.nii.ac.jp/1001/00213904/Technical Reporthttps://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/ej/?action=repository_action_common_download&item_id=214012&item_no=1&attribute_id=1&file_no=1Copyright (c) 2021 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers This SIG report is only available to those in membership of the SIG.芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻芝浦工業大学工学部情報工学科宮内, 陽里宇佐美, 公良近年,LSI のリーク電力の増大が問題となっており,その削減手法の 1 つに,磁気トンネル接合 (MTJ:Magnetic Tunnel Junction) 素子を利用した不揮発性パワーゲーティング (NVPG:Non Volatile Power Gating) がある.NVPG では,SRAM のような揮発性の記憶回路を MTJ によって不揮発化することで,PG によってデータが保持出来ない問題を解決している.しかし,MTJ は書き込みエネルギーが大きいという問題がある.そのため,本研究では,現在書き込まれている値と同値であれば MTJ への書き込みをスキップする機能(DAS : Data Aware Store)を備えることにより,低消費エネルギーを実現する SRAM を提案し,65nm プロセスでのシミュレーション評価を行った.In recent years, the increase of leakage power in LSIs has become a problem, and one of the methods to reduce the leakage power is Non-Volatile Power Gating (NVPG) using Magnetic Tunnel Junction (MTJ) devices. In NVPG, volatile storage circuits such as SRAM are made non-volatile by MTJ, thereby solving the problem of data retention by PG. However, MTJ has a problem of high write energy. In this study, we proposed an SRAM with low energy consumption by equipping it with a function that skips writing to MTJ if the value is the same as the currently written value (DAS: Data Aware Store), and conducted simulation evaluation in a 65nm process.AA11451459研究報告システムとLSIの設計技術(SLDM)2021-SLDM-1963162021-11-242188-86392021-11-19