2024-03-29T20:41:56Zhttps://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/ej/?action=repository_oaipmhoai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:001851852024-03-29T05:26:34Z01164:02036:07856:09345
薄膜 BOX-SOI を用いた基板バイアス印加温度センサの検討Temperature sensor applying Body Bias in Silicon-on-Thin-BOXjpn製造・性能考慮手法http://id.nii.ac.jp/1001/00185097/Technical Reporthttps://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/ej/?action=repository_action_common_download&item_id=185185&item_no=1&attribute_id=1&file_no=1Copyright (c) 2015 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers This SIG report is only available to those in membership of the SIG.芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻芝浦工業大学工学部情報工学科小坂, 翼中村, 昌平宇佐美, 公良微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている.これらを解決するために FD-SOI デバイスの 1 つである薄膜 BOX-SOI (SOTB:Silicon on Thin BOX) が提案されている.またトランジスタには発熱の問題がある.発熱はトランジスタの劣化や故障を引き起こし,チップの動作に異常をきたす.そのため,チップ上の温度を測定する温度センサが必要となっている.この問題を解決するために,本論文では薄膜 BOX-SOI に向けた温度センサを提案する.提案する温度センサを実装した SOTB とバルク 65nm プロセスの試作チップを用いて測定を行い,従来のバルクトランジスタと比較して温度に対する分解能を増大させ,チップごとのプロセスばらつきを基板バイアスによって低減できることを示す.The performance advancement by the transistor scaling is blocked by increase of power consumption and process variation. Silicon on Thin BOX(SOTB) solve these problems. In addition, there is a problem that the temperature changes in a transistor. The temperature change causes deterioration and the trouble of the transistor and causes malfunction of the chip. The temperature sensor which measures the temperature in the chip is necessary. In this paper, a temperature sensor for SOTB is proposed. We demonstrate that the temperature sensor for SOTB enables us to achieve high precision of the thermometry and mitigate the process variation at every chip by Body Bias than a conventional bulk transistor.AA11451459研究報告システムとLSIの設計技術(SLDM)2015-SLDM-16918162015-01-222188-86392017-12-27