2024-03-29T10:15:29Zhttps://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/ej/?action=repository_oaipmhoai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:001474982023-04-27T10:00:04Z01164:01579:08444:08445
薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth手法の試作と評価Implementation and evaluation of Dynamic Multi-Vth methodology in Silicon-on-Thin-BOXjpn消費電力http://id.nii.ac.jp/1001/00147464/Technical Reporthttps://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/ej/?action=repository_action_common_download&item_id=147498&item_no=1&attribute_id=1&file_no=1Copyright (c) 2016 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers This SIG report is only available to those in membership of the SIG.芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻芝浦工業大学工学部情報工学科井尾, 翔平鈴木, 花乃中村, 昌平宇佐美, 公良FD-SOI の一つである薄膜 BOX-SOI (Silicon on Thin BOX:SOTB) は,超低電圧で動作し,基板バイアス効果によりトランジスタの閾値を動的に変更させることが可能である.この特徴を利用することで,低閾値のみで回路設計後,回路内の高速動作を必要としない部分に基板バイアス効果を用い動的に閾値を上げることでマルチ Vth を実現する手法が提案されている.本研究ではその手法に対して新たなレイアウト設計を提案し, SOTB65nm プロセスでチップを試作し実機評価を行った.Silicon-on-Thin-BOX is one of the FD-SOI devices. It operates at ultra-low voltage and it is possible to effectively change the threshold voltage of the transistor by body biasing. So far, a design technique that realizes multi-Vth using body biasing has been proposed. After designing the circuit which consists of only low threshold transistors, the threshold voltage is raised dynamically at the area which does not need high-speed operation by applying body biasing. In this paper, we propose a new layout design approach and demonstrate effectiveness through implementation and real chip evaluation in 65nm SOTB process.AN10096105研究報告システム・アーキテクチャ(ARC)2016-ARC-21816162016-01-122188-85742016-01-18