2024-03-29T21:45:34Zhttps://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/ej/?action=repository_oaipmhoai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:001474972024-03-29T05:26:34Z01164:01579:08444:08445
三次元積層チップにおける電力消費に伴う発熱温度の実チップ評価A Chip Evaluation of the Heat Generation in 3D stacked LSIjpn消費電力http://id.nii.ac.jp/1001/00147463/Technical Reporthttps://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/ej/?action=repository_action_common_download&item_id=147497&item_no=1&attribute_id=1&file_no=1Copyright (c) 2016 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers This SIG report is only available to those in membership of the SIG.芝浦工業大学理工学研究科電気電子情報工学専攻芝浦工業大学工学部情報工学科和田, 達矢宇佐美, 公良LSI の三次元積層技術における問題点の 1 つである発熱について,積層構造によるチップの発熱温度への影響を解析するため,複数の発熱回路や温度センサとしてリークモニタ回路を搭載したチップを試作し,3 段および 4 段に積層し実測および評価を行った.その結果積層段数が 3 段から 4 段となることで,最上段中央部にて 0.56W の電力消費時に最大 1.7℃,最上段角部にて 0.40W の電力消費時に最大 6.5℃ の温度上昇を確認した.また,HotSpot を用いたシミュレーション結果との比較についても議論する.Heat is one of the problems in the three-dimensional stacking technology of LSI. We have developed a three-dimensional stacked chip equipped with the heat generation circuit and the temperature monitor circuit, to evaluate the effect of the heat generated in the chip by the stacked structure. By stack number is four stages from three-stage, temperature around the heating circuit by 0.56 watts consumed at the center of the uppermost stage is raised 1.7 degrees Celsius, and by 0.40 watts consumed at the corner of the uppermost stage is raised 6.5 degrees Celsius.AN10096105研究報告システム・アーキテクチャ(ARC)2016-ARC-21815162016-01-122188-85742016-01-18