2024-03-28T18:11:28Zhttps://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/ej/?action=repository_oaipmhoai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:001027502023-11-14T00:51:14Z06164:06165:07651:07653
リングオシレータの発振周波数測定から求めたアンテナダメージによる初期および経年劣化評価Evaluations of Initial and Long-Term Degradation Caused by Plasma Induced Damage from Measuring Frequencies on Ring Oscillatorsjpnばらつきhttp://id.nii.ac.jp/1001/00102727/Conference Paperhttps://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/ej/?action=repository_action_common_download&item_id=102750&item_no=1&attribute_id=1&file_no=1Copyright (c) 2014 by the Information Processing Society of Japan京都工芸繊維大学工芸科学研究科京都工芸繊維大学工芸科学研究科京都工芸繊維大学工芸科学研究科京都工芸繊維大学工芸科学研究科岸田, 亮大島, 梓籔内, 美智太郎小林, 和淑近年の集積回路の微細化により,アンテナダメージによる信頼性の低下が懸念されている.本稿では 65nm SOTB (Silicon On Thin BOX) プロセスで試作したリングオシレータにおいて,発振経路の 1 ヶ所のみにアンテナを接続した回路で発振周波数を測定する.アンテナとなる配線をドレインへ先につなげることにより,基板へ電荷が流れ出るためアンテナダメージが緩和される.初期周波数はアンテナダメージを受ける構造に比べて 0.51%以上異なり,シミュレーションでしきい値電圧変動量に換算すると約 20mV異なることを明らかにした.初期周波数はアンテナダメージに影響されるが,長期の劣化率にアンテナダメージは影響しない.Degradation of reliability caused by plasma induced damage (PID) has become a significant concern with miniaturizing a device size. In this paper, we measure frequencies of ring oscillators with an antenna structure on one stage. We fabricated the ring oscillators in a 65 nm SOTB (Silicon On Thin BOX) process. PID is relieved by connecting an antenna to a drain because electric charge flow to a substrate. The difference of initial frequencies is more than 0.51 % between structures which cause and relieve PID. The difference is converted to 20 mV threshold voltage degradation. Initial frequencies are affected by PID but there is no effect of PID in a long-term degradation mainly caused by bias temperature instability (BTI).DAシンポジウム2014論文集201443482014-08-212014-08-19